内存延迟影响因素(内存延迟跟什么有关)

内存延迟跟什么有关

内存条的性能主要由以下几个因素决定：

1.内存条速度：指内存条数据传输速度，通常以MHz为单位表示。速度越高，传输数据的效率越快，性能越好。

2.延迟时间：指内存模块响应请求所需要的时间，通常以CAS延迟（CL）的形式来表示。延迟时间越短，内存的响应时间就越快，性能也就越好。

3.频宽：指内存条每秒钟能够传输的数据量，通常以GB/s为单位来表示。频宽越高，内存的数据传输速度就越快，性能也会更好。

4.容量：指内存条可以存储的数据量，通常以GB为单位表示。容量越大，能存储的数据量就越多，对大型程序和多任务处理性能的提升也越大。

综上所述，内存条性能的优劣取决于内存条的速度、延迟时间、频宽和容量等多个因素的综合表现。

内存延迟跟什么有关系

内存延迟是指等待对系统内存中存储数据的访问完成时引起的延期。根本问题在于处理器 (如英特尔®至强TM处理器) 的主频接近4 GHz，而内存芯片速率仅为400 MHz (如DDR 3200内存) —时钟速度之比为10:1。因此，当处理器需要处于内存高速缓存之外的数据项时，每个周期必须等待10个时钟周期才能使内存芯片完成数据的提取和发送。通常，这些提取需要检索多个内存周期，然后需要更长时间通过到处理器的路径。这就意味着提取数据会占用数百个处理器时钟周期，在此期间应用不能处理其它任何任务。

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存响应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。

第一个数字最为重要，表示注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟(CAS Latency)，即CL值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。

第二个数字表示内存行地址控制器预充电时间(RAS Precharge)，即tRP。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。

第三个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。

内存延迟越低越好吗

　　内存在超频的时候，,CAS延迟数值是大一些更稳定。　　

1、CAS延迟，数字越小，内存的性能越高。　　

2、但数字越小，对内存的稳定性要求越高，超频的话就越容易不稳定。　　

3、因此，在不超的状态下，CAS延迟数字越小越好；但超频之后，提高了内存工作频率后，往往需要增大CAS数值才能稳定。

内存延迟跟什么有关联

内存延迟会影响处理器性能，这个原因也很简单，因为现代的电子计算机都是基于冯诺依曼体系的，计算与存储分离，计算性能越强，对存储系统的要求也更高，而目前CPU内部的L1、L2、L3缓存带宽基本上不是问题了，瓶颈主要是在内存与CPU之间。

内存延迟低有什么好处

是的。

延迟越低，速度越快。

一般内存是频率越高，延迟越大。威刚红色威龙DDR2 800+ CL4-4-4-12，标是这样标的，但一般在800M频率都是在5-5-5-15，在667M时有可能4-4-4-12。芝奇DDR2 800 CL5-5-5-15应该这个好。我用的金邦黑龙条DDR2 800，是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。内存好不好，关键看颗粒，目前用镁光颗粒的内存最好。