各代内存频率测试(内存频率时序怎么看)

内存频率时序怎么看

答:内存条的时序查看步骤如下，1.首先现在有两条内存条,这两条内存条的容量和频率都相同,就可以看内存条的时序了,这个时候就可以说时序越低,就越好,就好比,一条CL14,一条CL16,那么肯定就是CL14好。

2.其次一般需要给自己电脑加内存条的时候需要先看看自己的电脑原装是DDR几,比如说DDR4比DDR3好很多。

3.最后例如8G加8这里显示的是内存8g的容量。一般运行内存,都会先看容量为多少。特别是需要再装一条的时候,一定要看清楚本身电脑的是多少容量的,外加的时候要选相同的内存即可。

内存频率时序怎么调

内存速度比例模式是指内存工作时的频率与处理器的频率之间的比例关系。这个比例关系可以通过 BIOS 设置来进行调整。

以下是一些常见的调整方法：

进入 BIOS 设置，找到“Advanced”或“Overclocking”等选项。

找到“Memory Frequency”或“Memory Ratio”等选项，将其设为所需的比例。

如果需要进行进一步的调整，可以尝试调整处理器频率、内存时序等参数。

需要注意的是，在进行任何 BIOS 设置调整时，都需要谨慎操作，避免出现不可逆转的错误，建议在了解清楚相关知识后再进行操作。

内存频率怎么看

查看内存条出厂频率的方法如下

在开机的时候，可以通过查看电脑的自检信息获知内存条的出厂频率。

电脑在重启或者是开机自检的时候可以显示各个硬件的详细信息，此时朋友们就可以看到内存的频率和容量等等。可以尝试在电脑开机检测到第二个画面的时候按pause键暂停，此时就可以查看到内存条出厂频率值。　　

内存频率如何看

我用鲁大师检测工具

步骤1 打开鲁大师

选择硬件参数

点内存

可以看见，内存频率，品牌，大小。

内存频率和时序怎么算

内存时序是内存存储器访问数据的时间参数，包括CL（CAS Latency）、RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）等参数。在设置内存时序时，需要考虑到内存、主板、处理器等硬件的兼容性，同时也需要根据内存时序的性能要求进行设置。

一般来说，内存时序设置越小，内存性能就越好，但需要考虑到兼容性和稳定性的问题。因此，在设置内存时序时，建议按照以下步骤进行：

1. 首先查看主板手册，确定主板支持的内存类型和时序参数范围。

2. 根据内存厂家提供的数据手册，查看内存的时序参数范围。

3. 根据内存和主板的兼容性要求，选择适合的时序参数进行设置。

4. 进入BIOS设置界面，找到内存时序相关设置项，进行相应的调整。

需要注意的是，内存时序的设置需要谨慎，过低或者过高的设置都可能会导致系统稳定性问题，因此建议根据实际情况进行适当的调整。

内存频率与时序计算公式

DDR3 的时代最重要的是内存容量和时序。因为 D3 内存频率都不高，2133 已经算高频了吧，但是比 1600 普条性能强不了多少。

现在 DDR4 内存最重要的则是容量、内存频率和散热。

因为现在 D4 内存时序都高，但频率也可以做得很高，所以时序都低的情况下如果再选择低频内存就很亏。

内存频率比起 D3 却是翻倍式的增加，有的频率可以上 4000+，比 2400 普条高不知道多少，所以性能提升很明显。

现在的高频内存发热问题不可小觑，散热片也是越做越夸张，甚至有人会做内存水冷！所以高频内存还是别买裸条了吧。

内存频率时序

2.其次一般需要给自己电脑加内存条的时候需要先看看自己的电脑原装是DDR几,比如说DDR4比DDR3好很多。

内存条频率时序怎么看

普通的DDR4代内存条一般为频率2400MHz，设置时序CL15-17左右。但是一些使用极品颗粒的超频内存条如金百达的颗粒就可以轻松做到频率3200MHz，而且时序只有CL12。这类极品内存条可以做到保证时序不超标的情况下，超频上4000MHz以上。

内存频率时序怎么看出来

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内存参数规格：

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。

CMD Rate祥解：

Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。

用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。

Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。

宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。

tRAS：

tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。

接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？

CAS:

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。

tRCD:

根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。

tRP:

tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快

总结：

或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。

因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。

一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。

另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。