一、我一般是稳住时序不动，CPU超过稳定之后再压低 （当然这个无所谓，对性能影响相当小）时序越低，内存响应延迟越少，性能越好，相应的，对系统要求稳定性越高，所以低时序会影响超频后稳定性二、CPU主频=外频*倍频同主频其他情况相同时（总线，内存频）性能认为相等所以优先考虑超倍频，因为同主频下 ，高外频有更多的发热，并且要求更高的稳定电压但是现在大部分CPU倍频锁定所以一般是超CPU外频外频提升会同时超总线和CPU频为了超频稳定 需要修改总线倍频 修改内存分频
延迟描述(CL)：
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
碰到的应该就是AMD Zen2/Zen3 CPU平台上，默认设置下，内存频率超过3600以后，内存控制器分频引起的问题。
一般解决的办法就是，调Fabric频率（就是Fclk），调成内存频率一半（比如内存设置成DDR4-3800，Fclk就设置成1900）
不高
内存延迟70ms算正常现象。G1模式内存的性能比较高，但是很难上到更高的频率。内存超频到3200M，英特尔12代内存g1模式读写速度都超过了45000M每秒，延迟65NS。
DDR5内存延迟一般在20-40ns之间是正常的。原因是DDR5内存相比于DDR4内存具备更高的频率和带宽，但也因此造成了更高的延迟。一般来说，DDR5内存的延迟要比DDR4内存高出约5-10ns左右。另外，内存延迟的大小也会受到内存容量、内存时序等因素的影响，因此在实际应用中可能会有所不同。但一般来说，20-40ns的延迟是较为正常的范围。内存延迟对于计算机性能有着重要的影响，因此在选购内存时除了考虑容量和频率之外，也需要注意内存延迟的大小。同时，在进行超频等操作时，也需要注意内存延迟的变化对性能的影响。
回答如下：要降低AMD华硕主板内存延迟，可以尝试以下方法：
1. 调整内存频率和时序：根据内存品牌和型号，选择合适的频率和时序，可以通过BIOS设置进行调整。
2. 启用XMP（Intel Extreme Memory Profile）：如果您的内存支持XMP，可以通过BIOS启用XMP来提高内存性能。
3. 调整CPU核心电压和时钟频率：调整CPU核心电压和时钟频率可以帮助提高内存性能，但需要小心操作，以免损坏硬件。
4. 更新BIOS：更新最新版本的BIOS可以提高系统稳定性和性能。
5. 清理内存和调整内存使用：关闭不必要的程序和进程，释放内存空间，可以提高内存性能。
6. 更换高性能内存条：更换高性能内存条可以提高内存性能，但需要确保新的内存条与主板兼容。
关于这个问题，内存延迟与频率之间没有直接的关系，因此无法回答这个问题。内存延迟是指内存芯片读取和写入数据的速度，通常用CAS延迟（CL）来衡量。而内存频率是指内存运行时的时钟速度，通常以MHz为单位表示。虽然较高的频率可以提高内存的带宽，但较低的延迟可以提高内存的响应速度。因此，内存的性能不仅取决于其频率，还取决于其延迟。
在使用 AMD 处理器的过程中，内存延迟对系统性能有很大的影响。正常情况下，内存延迟的具体值会受到多个因素的影响，包括内存时序、内存带宽以及其他硬件和软件因素等。
一般情况下，AMD 处理器内存延迟在 60ns 以下可以被认为是非常优秀的。对于普通用户而言，内存延迟在 70ns - 80ns 左右是比较正常的，而在 90ns 左右可能就有些偏高了。当内存延迟超过 100ns 时，系统的性能会出现较为明显的下降。
当然，需要注意的是，这些数值只是参考值，实际上还需要考虑具体的硬件和软件组合，以及用户使用场景等因素。如果您希望获得更加精确的数据，可以考虑使用相应的测试工具进行测量。
内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，其调节方式如下：
1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。
2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。
3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。
4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
电脑内存延迟一般正常是在9到20纳秒之间。内存延迟是指 CPU 从发出内存请求到收到所需数据的时间，也就是内存响应 CPU 的速度。内存延迟越低，内存响应 CPU 的速度就越快。
内存延迟受到多个因素的影响，如内存频率、时序等。不同类型的内存延迟可能会有所不同。DDR4 内存的延迟一般比 DDR3 内存低，而高性能的内存则通常具有更低的延迟。
因此，内存延迟数值并不是越小越好，需要综合考虑内存延迟、内存频率和时序等因素。通常情况下，内存延迟在9到20纳秒之间即可满足大部分普通用户和游戏玩家的需求，但对于一些高性能计算、视频编辑等需要对内存响应速度有较高要求的应用程序，则需要选择更低延迟的内存。
