从短的时间周期上来看，显卡的研发当然会遇到瓶颈!
影响显卡性能主要参数有核心频率、显存频率、显存类型、显存大小、显存位宽、流处理器单元，此外还有制造工艺和架构。每一代的显卡升级，都是在这些参数上做文章。但是，芯片的制程是有极限的，所谓瓶颈，就是用最先进的制程能达到的最强性能。我也不说什么摩尔定律了，信息这么发达查查就知道了。
MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。那么如何对MOS管进行检测呢？华碧实验室为大家分享检测MOS管的5种方法。
一、用测电阻法判别MOS管的电极
根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
二、用测电阻法判别MOS管的好坏
测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
三、用感应信号输人法估测MOS管的放大能力
具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住MOS管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动较大，表明管的放大能力大;若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
四、用测电阻法判别无标志的MOS管
首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
五、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对MOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
满血版的 RTX3060 全功率是 130W，残血版则低于 130W，有 75W、80W、105W 等等。
和满血版相比，残血版性能缩水较严重。据相关数据，130W 的 RTX3060 比 105W 的大约强 9%，比 80W 的强 15%。
15% 的差距，在摩尔定律逐渐停止的当下，已经接近于代差了。
目前，用上 RTX3060 的游戏本有很多，但大部分是 " 残血版 "，在面对《赛博朋克 2077》这种特吃配置的 3A 大作时，画质拉满的情况下稍显吃力。
摩尔定律( Moore’s Law) 是指同样面积的电脑芯片上集成的晶体管的数量每隔18 个月会增加一倍，也会将芯片的处理速度和处理能力提升一倍，而成本则会降低一半。
摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登•摩尔（Gordon Moore）在搜集1959 年至1965 年集成电路上晶体管数量的数据基础上，于1965 年4 月提出的。
摩尔定律不是一条自然科学性质的定律，只是一种经验性质的观察和预言，因为大体上符合实际趋势，所以越来越多的场合下摩尔定律被用来预测行业走势，而实现这一预期走势靠的还是工程和研发部门的不断努力。它说明在某些特定领域（现在不仅仅是半导体、IT行业），一种研究-技术-商业相互渗透、相互促进的现象。
摩尔定律对价格的影响机理大致应该是：
根据摩尔定律，有推论：“电子产品价格一年之内下降66%”。理论上来说，一部手机价格年初为1000元，受摩尔定律影响，那么年末就应该为340元。
当然，这是基本上不可能的事情，没有厂家愿意吃这样的亏。
一方面，“晶体管的数量每隔18 个月会增加一倍”并不意味着新产品数量会增加一倍，一代产品开发周期通常约为一年左右。以苹果为例，如图是苹果手机发布版本和时间（iPhone7北京时间2016年9月8日凌晨1点在美国旧金山比尔·格雷厄姆市政礼堂2016年苹果秋季新品发布会上发布）
在新产品发布以前，上一代产品降价速度都是比较慢的（但是经常可以看到新产品发布以后，上一代产品被“大降价”的现象），此时价格的影响因素应该考虑其他因素。
另一方面，应该考虑市场是否是完全竞争市场，完全竞争市场意味着竞争充分而不受任何阻碍和干扰的一种市场结构。在这种市场类型中，买卖人数众多，买者和卖者是价格的接受者，资源可自由流动，信息具有完全性。在完全垄断市场、垄断竞争市场、寡头垄断市场，利益主体为了保证自己的利润，可以通过寡头联盟等方式，依靠市场占有率来阻止其他竞争者的进入。也就是说，你小的生产厂家根本进不来，即使是有非常好的产品，非常低廉的价格，但我消费者压根就不知道有你这个厂家。这种情况通常发生在竞争机制不健全的市场当中。你说的固态硬盘、显卡等，厂家都可以以“发大火把工厂烧了”、“发洪水把机器冲走了”“工厂爆炸”之类的理由控（cao）制（zong）价格。（当然，也还有一种情况的垄断，并不是来自于生产厂家或者是品牌厂家，来自于原料产商或者分销渠道，总之整条产业链上的话语权最大，谁就有可能垄断行业。）当寡头联盟中有人按捺不住了，想先“捞”一波下一代产品的钱，这个时候再来缓慢降价也不迟啊。硅谷是硅谷，电脑城是电脑城。硅谷负责引领科技潮流，我们负责盈利。
总结一句话就是，摩尔定律更多的适用于生产厂商的研发与和行业产品更新换代，而消费者市场价格最终是由供求决定的。
戈登.摩尔的发现不基于任何特定的科学或工程理论，只是真实情况的影射总结。硅芯片行业注意到了这个定律，没有简单把它当作一个描述的、预言性质的观察，而是作为一个说明性的，重要的规则，整个行业努力的目标。-《nature》杂志
13GHz电脑处理器目前并不存在。根据摩尔定律，单核处理器在时钟速度接近3GHz的情况下难以再有大量的性能提升。因此，电脑处理器在性能提升上主要依靠多核心，同时结合更高效的微架构和更先进的制程工艺来达到更多的性能提升。当前常见的电脑处理器主要以英特尔和AMD为主的品牌，它们普遍是4-8核的设计，具有较高的处理性能和低功耗，可以满足大多数用户的需求，同时也有较好的性价比。
